DH15IB InP HBT工藝技術是一款發射極長為1.5μm的耗盡型HBT工藝；該工藝當前推出試用版，適用于C波段到V波段的VCO和混頻器設計與生產。
DH15IB InP HBT工藝產品：
l 高速接口芯片；
l TIA芯片；
l 驅動芯片；
l 極低相噪振蕩芯片；
l 混頻器。
DH15IB工藝射頻/直流特性
l 擊穿電壓：Vce=6V；
l 截止頻率：Ft=180GHz；
l 最高頻率：Fmax=220GHz；
技術支持：(+86)028-61962718
Focus on III-V Semi-Conductor MMICs up to 300GHz！
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