D007IH工藝技術自2011年規模商用，是一款70nm的mHEMT工藝；該工藝制備頻率從20GHz到160GHz的超低噪聲放大器產品。

D007IH工藝技術的產品噪聲系數極低，可達2.8dB（典型值）@90GHz！適用于通信、衛星通訊、被動成像等領域。

D007IH工藝射頻/直流特性

l業界領先的70nm雙mushroom結構柵極；

l高摻銦溝道（摻銦濃度達70%?。?；

l截止頻率：Ft=300GHz；

l最高頻率：Fmax=450GHz；

l極低噪聲系數：NFmin=0.5dB@30GHz；

l增益：12.5dB@30GHz；

l全局鈍化處理

——外延電阻；

——鎳鉻電阻；

——MIM電容（400pf/mm²和49pf/mm²）；

——螺旋電感；

——空氣橋；

——通孔；

——微凸臺；

——全局鈍化芯片：覆蓋150nm氮化硅；

——封裝級產品：全局150nm氮化硅鈍化層（標準）或300nm（可選）氮化硅鈍化層；

——芯片標準厚度100μm（如果有特殊要求，70μm厚度可選）；

——厚金屬層可選，用于優化芯片噪聲性能。