D01MH工藝技術自2010年規模商用，是一款125nm的mHEMT工藝；該工藝制備頻率最高達90GHz的超低噪聲放大器產品。

D01MH工藝技術已通過歐洲宇航局航天級認證，并被列入歐洲宇航局首選器件清單（EPPL）。

D01MH工藝射頻/直流特性

l擊穿電壓：Vbgd=8V（典型值）；

l開啟電壓：Vt=-0.9V；

l 截止頻率：Ft=150GHz；

l最高頻率：Fmax=250GHz；

l噪聲系數：NFmin=0.8dB@30GHz；

l增益：11.5dB@30GHz；

l全局鈍化處理

——外延電阻；

——鎳鉻電阻；

——MIM電容（400pf/mm²和49pf/mm²）；

——螺旋電感；

——空氣橋；

——通孔；

——微凸臺；

——全局鈍化芯片：覆蓋150nm氮化硅；

——芯片標準厚度100μm（如果有特殊要求，70μm厚度可選）；

——厚金屬層可選，用于優化芯片噪聲性能。