D01PH工藝技術自1999年規模商用，是一款135nm的耗盡型pHEMT工藝；該工藝來制備1GHz到50GHz的超低噪聲放大器和中功率放大器產品。

優異的噪聲系數：NF＜0.6dB@2GHz，NF＜1.5dB@10GHz。

D01PH工藝技術已通過歐洲宇航局航天級認證，并被列入歐洲宇航局首選器件清單（EPPL）。

D01PH工藝射頻/直流特性

l擊穿電壓：Vbgd=8V（典型值）；

l開啟電壓：Vt=-0.9V；

l截止頻率：Ft=100GHz；

l最高頻率：Fmax=180GHz；

l噪聲系數：NFmin=1.1dB@30GHz；

l1dB壓縮點功率：P1dB/mm（40GHz）=640mW/mm；

l全局鈍化處理

——外延電阻；

——鎳鉻電阻；

——MIM電容（400pf/mm²和49pf/mm²）；

——螺旋電感；

——空氣橋；

——通孔；

——微凸臺；

——封裝級產品：全局150nm氮化硅鈍化層（標準）或300nm（可選）氮化硅鈍化層；

——芯片標準厚度100μm（如果有特殊要求，70μm厚度可選）；

——厚金屬層可選，用于優化芯片噪聲性能。