ED02AH工藝是一款自1995年就規模商用的0.18μm pHEMT工藝，ED02AH允許在單片MMIC上同時有增強型pHEMT管和耗盡型pHEMT管，是設計、生產多功能芯片工藝。其中，多功能芯片廣泛應用于相控陣應用領域。

ED02AH工藝技術已通過歐洲宇航局航天級認證，并被列入歐洲宇航局首選器件清單（EPPL）。

ED02AH工藝射頻/直流特性

l兩個不同開啟電壓Vt

——增強型：225mV；

——耗盡型：-900mV；

l擊穿電壓：Vbgd=8V（典型值）；

l截止頻率：Ft=60GHz；

l全局鈍化處理

——外延電阻；

——鎳鉻電阻；

——MIM電容（400pf/mm²和49pf/mm²）；

——螺旋電感；

——空氣橋；

——通孔；

——微凸臺；

——封裝級產品：全局150nm氮化硅鈍化層（標準）或300nm（可選）氮化硅鈍化層。